关键加工环节 前处理：包括除油、微蚀、活化，确保载板表面洁净无杂质。 电镀沉积：通过电解或化学沉积方式，让金属离子均匀附着在载板表面。 后处理：涵盖清洗、烘干、检测，保障镀层质量达标。
IC 载板电镀加工是半导体封装领域的核心工艺，专为 IC 载板（如 ABF 载板、BT 载板）沉积高精度金属镀层，核心作用是实现芯片与基板的可靠电连接、提升散热与抗腐蚀性能。
工艺流程 前处理：包括对载板进行开槽、打通孔等操作，然后将载板贴在承载胶上，植入芯片和金属块，进行次塑封，形成塑封层；之后拆除承载胶，对一次塑封件另一面进行第二次塑封，形成第二塑封层。 电镀准备：在塑封层和第二塑封层上打盲孔，以露出芯片的 IO 接口和金属块，然后对盲孔进行真空溅射，并在二次塑封件的上、下两面建立种子层。 电镀沉积：通过电解或化学沉积方式，让金属离子在载板表面沉积形成所需的镀层，如铜、镍、金、锡等镀层，在电镀过程中需要控制电场、电镀液成分、温度、电流密度等参数，以确保镀层的质量和性能。 后处理：电镀完成后，进行清洗、烘干等操作，去除表面残留的电镀液和杂质，然后对镀层进行检测，如检测镀层厚度、附着力、孔隙率等，确保产品质量符合要求。
半加成工艺载板电镀是一种用于制造高精度电子载板的工艺方法，在半导体封装等领域应用广泛。以下是关于它的详细介绍： 工艺原理：半加成法（SAP）的核心是通过 “逐步沉积铜层” 形成电路。先在绝缘基板表面制备超薄导电层，即种子层，再通过光刻技术定义线路图形，对图形区域电镀加厚铜层，去除多余部分后形成完整电路。改良型半加成法（mSAP）则是在基板上预先贴合 3-9μm 的超薄低轮廓铜箔作为基铜，再进行后续操作。 工艺流程 基材准备：使用表面平整的超薄铜箔基板或无铜基材，如 1-2μm 厚铜层的基板或 ABF 薄膜等。 化学沉铜：通过化学沉积在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄铜层，作为导电基底，即种子层。 图形电镀铜：对露出的种子层区域进行电镀加厚，使线路达到设计厚度，通常至 5-15μm，形成导线主体。 去胶与蚀刻：移除光刻胶或干膜，然后蚀刻掉未被电镀覆盖的薄种子层铜，由于种子层厚度极薄，蚀刻侧蚀极小。 表面处理：进行沉金、OSP、沉锡等表面处理，以满足后续封装和焊接等工艺的要求。