FH413A05三轴加速度传感器说明书MEMS三轴加速度传感器，电容加速度计

一、简介

FH413A05 三轴加速度传感器由我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有 BIMOS 信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有低功耗、高可靠性和高封装坚固性，并具自检测（Self-Test）等功能，可实现自检测。

本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器系统、地震监控、 倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。

二、原理

FH413A05三轴加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面 MEMS 多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克 服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块 相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结 构的偏转，从而产生电压输出信号。

三、技术条件

性能

FH413A性能

Ax ，Ay ，Az

测量范围（ g）

±2

±4

±5

± 10

±20

±40

灵敏度（mV/g）

1000±50

500±50

400±30

200±20

100±10

50±5

带宽（10%，Hz）

0～500

零 g 偏置电压（V）

2.5±0.05

满量程输出（V）

0.5-4.5

零偏温度变化（mg/ °C）

±0.2~ ±0.8

交叉轴影响（%）

≤2

非线性度(％F.S)

≤0.1

噪声密度（ug/ √Hz）

20~80

供电要求

供电电压(VDC)

12±0.5

输入电流（mA）

≤20

工作环境

使用温度（。C）

-45～+85

抗冲击（ g）

5000

重量、体积

重量(g)

≤20

体积（mm³ )

21.6×21.6×12.4